Energetics of NP and NB complexes in silicon

V. G. Zavodinsky, A. V. Visikovski, I. A. Kuyanov

研究成果: Contribution to journalArticle査読

抄録

Using ab initio (Hartree-Fock and local density approximation) and semiempirical (Austin Model 1) calculations, we studied the energetics and electronic structures of NB and NP complexes. We found that these complexes are electrically inactive. The formation energies are 1.6 eV for the NB coupling and 2.4 eV for the NP pairing. The N-P and N-B interatomic equilibrium distances are about 3.5 Å for both complexes.

本文言語英語
ページ(範囲)505-508
ページ数4
ジャーナルComputational Materials Science
21
4
DOI
出版ステータス出版済み - 2001
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • コンピュータ サイエンス(全般)
  • 化学 (全般)
  • 材料科学(全般)
  • 材料力学
  • 物理学および天文学(全般)
  • 計算数学

フィンガープリント

「Energetics of NP and NB complexes in silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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