ENERGY LEVELS OF ELECTRICALLY ACTIVE COBALT IN SILICON.

Hajime Kitagawa, Hiroshi Nakashima, Kimio Hashimoto

研究成果: Contribution to journalArticle査読

2 被引用数 (Scopus)

抄録

Hall measurements and combined Hall and DLTS measurements for cobalt-doped n- and p-type silicon are carried out to reveal cobalt levels and cobalt-related levels in silicon. The impurity level assignment of cobalt in silicon, donor or acceptor, is well established. It is found that cobalt has an amphoteric nature in silicon, i. e. cobalt center has neutral, negatively and positively charged states.

本文言語英語
ページ(範囲)119-130
ページ数12
ジャーナルMemoirs of the Kyushu University, Faculty of Engineering
46
2
出版ステータス出版済み - 6 1 1986
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • エネルギー(全般)
  • 大気科学
  • 地球惑星科学(全般)
  • 技術マネージメントおよび技術革新管理

フィンガープリント

「ENERGY LEVELS OF ELECTRICALLY ACTIVE COBALT IN SILICON.」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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