Energy-resolved distribution of electron traps for O/S-doped carbon nitrides by reversed double-beam photoacoustic spectroscopy and the photocatalytic reduction of Cr(vi)

Chitiphon Chuaicham, Sekar Karthikeyan, Radheshyam R. Pawar, Yihuang Xiong, Ismaila Dabo, Bunsho Ohtani, Yoonyoung Kim, Jun Tae Song, Tatsumi Ishihara, Keiko Sasaki

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抄録

We report for the first time to our knowledge the identification of heteroatom-doped and undoped C3N4 with the energy-resolved distribution of electron traps (ERDT) near the conduction band bottom position (CBB) using reversed double-beam photoacoustic spectroscopy. The ERDT/CBB pattern is used to classify the type of elemental doping in C3N4, related to photocatalytic efficiency.

本文言語英語
ページ(範囲)3793-3796
ページ数4
ジャーナルChemical Communications
56
26
DOI
出版ステータス出版済み - 4 4 2020

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 触媒
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • セラミックおよび複合材料
  • 化学 (全般)
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Energy-resolved distribution of electron traps for O/S-doped carbon nitrides by reversed double-beam photoacoustic spectroscopy and the photocatalytic reduction of Cr(vi)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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