EPITAXIAL Si/INSULATOR/Si STRUCTURE PREPARED BY VACUUM DEPOSITION OF CaF//2 AND SILICON.

T. Asano, H. Ishiwara

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルMaterials Research Society Symposia Proceedings
出版社North-Holland Publ Co
ページ145-115
ページ数31
ISBN(印刷版)0444007741
出版ステータス出版済み - 12 1 1982
外部発表はい

出版物シリーズ

名前Materials Research Society Symposia Proceedings
10
ISSN(印刷版)0272-9172

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 材料科学(全般)
  • 凝縮系物理学
  • 材料力学
  • 機械工学

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