Fabrication of self-assembling InGaN and AlGaN quantum dots on AlGaN surfaces using anti-surfactant

Hideki Hirayama, Satoru Tanaka, Yoshinobu Aoyagi

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抄録

We demonstrate InGaN and AlGaN quantum dots (QDs) formation on AlGaN surfaces vir metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Si anti-surfactant was used in order to modify surface energy balance for changing growth mode from 2-dimensional step-flow growth to 3-dimensional nano-scale island formation. The average lateral size and thickness of the InGaN and AlGaN QDs are 10-20 nm and 5 nm, respectively. Intense photoluminescence (PL) was observed from InGaN QDs even in room temperature. In and Al incorporation in InGaN and AlGaN QDs were estimated to be 22-52% and 1-5%, respectively, from the PL spectrum.

本文言語英語
ページ(範囲)251-253
ページ数3
ジャーナルMicroelectronic Engineering
47
1
DOI
出版ステータス出版済み - 6 1999
外部発表はい
イベントProceedings of the 1998 4th International Symposium on New Phenomena in Mesoscopic Structures (NPMS'98) - Kauai, HI, USA
継続期間: 12 7 199812 11 1998

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Fabrication of self-assembling InGaN and AlGaN quantum dots on AlGaN surfaces using anti-surfactant」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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