Floating-gate enhanced current-amplification in bipolar action of SOI-MOSFET

Y. Uryu, T. Asano

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

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抄録

The operation of a silicon on insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) was investigated in the presence of an electrically floating gate. The floating gate enhanced the emitter injection efficiency by depleting the channel region of its majority carriers. The device technology was found to be compatible with complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology and hence the effect is useful in integration of image sensing devices on SOI technology.

本文言語英語
ページ(範囲)1313-1314
ページ数2
ジャーナルElectronics Letters
37
21
DOI
出版ステータス出版済み - 10月 11 2001

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Floating-gate enhanced current-amplification in bipolar action of SOI-MOSFET」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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