Floating gate memory-based monolayer MoS2 transistor with metal nanocrystals embedded in the gate dielectrics

Jingli Wang, Xuming Zou, Xiangheng Xiao, Lei Xu, Chunlan Wang, Changzhong Jiang, Johnny C. Ho, Ti Wang, Jinchai Li, Lei Liao

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

90 被引用数 (Scopus)

抄録

Charge trapping layers are formed from different metallic nanocrystals in MoS2-based nanocrystal floating gate memory cells in a process compatible with existing fabrication technologies. The memory cells with Au nanocrystals exhibit impressive performance with a large memory window of 10 V, a high program/erase ratio of approximately 105 and a long retention time of 10 years.

本文言語英語
ページ(範囲)208-213
ページ数6
ジャーナルSmall
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DOI
出版ステータス出版済み - 1月 14 2015
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • バイオテクノロジー
  • 生体材料
  • 化学 (全般)
  • 材料科学(全般)

フィンガープリント

「Floating gate memory-based monolayer MoS2 transistor with metal nanocrystals embedded in the gate dielectrics」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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