Formation of ohmic contacts to n-GaAs by solid phase epitaxy of evaporated and ion implanted Ge films
Tsuyoshi Fukada, Tanemasa Asano, Seijiro Frukawa, Hiroshi Ishiwara
研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術誌 › 査読
4
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(Scopus)