フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (シリコン材料・デバイス)

朴 鍾爀, 宮尾 正信, 佐道 泰造

研究成果: Contribution to journalArticle査読

抄録

Low-temperature (≤250℃) formation technique of orientation-controlled large-grain Ge thin films on insulator is desirable for realization of advanced flexible electronics. To achieve this, the Au-induced crystallization technique combined with inter-diffusion-control and interface-energy-modulation techniques has been investigated. Consequently, selective formation of (100) or (111)-oriented large-grain (>20 μm) Ge crystals on insulator have been realized. Moreover, formation of (111)-oriented large-grain Ge crystals directly on plastic substrates is demonstrated. This technique facilitates realization of future flexible electronics.
寄稿の翻訳タイトルFormation of quasi-single crystal Ge on plastic by Au-induced layer-exchange growth
本文言語日本語
ページ(範囲)17-20
ページ数4
ジャーナルIEICE technical report
114
1
出版ステータス出版済み - 4 10 2014

フィンガープリント

「フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (シリコン材料・デバイス)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル