Formation of solution-derived SiO2 thin films by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin film transistors

Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Yosuke Watanabe, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

Formation of perhydropolysilazane based SiO2 film by CO2 laser annealing was investigated. Polycrystalline silicon thin film transistors with the SiO2 film as a gate insulator were fabricated. The TFT showed the field effect mobility of 27 cm2/vs and hysteresis shift of -0.11 V. We considered the cause of the hysteresis.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル21st International Display Workshops 2014, IDW 2014
出版社Society for Information Display
ページ261-262
ページ数2
ISBN(電子版)9781510827790
出版ステータス出版済み - 1月 1 2014
イベント21st International Display Workshops 2014, IDW 2014 - Niigata, 日本
継続期間: 12月 3 201412月 5 2014

出版物シリーズ

名前21st International Display Workshops 2014, IDW 2014
1

その他

その他21st International Display Workshops 2014, IDW 2014
国/地域日本
CityNiigata
Period12/3/1412/5/14

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 人間とコンピュータの相互作用
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Formation of solution-derived SiO2 thin films by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin film transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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