Gas Response of Oxide Semiconductor Film Devices under Control of Diffusion and Reaction Effects

Noboru Yamazoe, Kengo Shimanoe

研究成果: Contribution to journalConference article査読

1 被引用数 (Scopus)

抄録

Sensor response of film semiconductor gas sensors to reducing gas under control of diffusion and reaction effects can be formulated as a function of film thickness and Hatta number based on recent theory of the receptor function of small crystals. The bell shaped dependence of the response on temperature can also be derived theoretically.

本文言語英語
ページ(範囲)658-661
ページ数4
ジャーナルProcedia Chemistry
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DOI
出版ステータス出版済み - 9 2009
イベントEurosensors 23rd Conference - Lausanne, スイス
継続期間: 9 6 20099 9 2009

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 化学 (全般)
  • 化学工学(全般)

フィンガープリント

「Gas Response of Oxide Semiconductor Film Devices under Control of Diffusion and Reaction Effects」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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