Gate Bias Stress Instability and Hysteresis Characteristics of InAs Nanowire Field-Effect Transistors

Changyong Lan, Sen Po Yip, Xiaolin Kang, You Meng, Xiuming Bu, Johnny C. Ho

研究成果: Contribution to journalArticle査読

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フィンガープリント

「Gate Bias Stress Instability and Hysteresis Characteristics of InAs Nanowire Field-Effect Transistors」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Engineering & Materials Science

Chemical Compounds