High-performance thin-film transistor fabricated on poly-Si films prepared by metal imprint technology

K. Makihira, M. Yoshii, T. Asano

研究成果: Contribution to conferencePaper査読

4 被引用数 (Scopus)

抄録

The metal imprint technology was found to be effective in the preparation of large grains of silicon at controlled sites. Thin film transistors (TFT) fabricated by this technique showed field effect mobility upto 400cm2/Vs. Superior performance and uniform characteristics were obtained by growing the channel in a single-grain.

本文言語英語
ページ189-190
ページ数2
出版ステータス出版済み - 1 1 2001
外部発表はい
イベントDevice Research Conference (DRC) - Notre Dame, IN, 米国
継続期間: 6 25 20016 27 2001

その他

その他Device Research Conference (DRC)
国/地域米国
CityNotre Dame, IN
Period6/25/016/27/01

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 工学(全般)

フィンガープリント

「High-performance thin-film transistor fabricated on poly-Si films prepared by metal imprint technology」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル