High pressure raman scattering study of lanbO4 and ndnbo4

A. Sawada, Y. Ishibashi, K. Hara

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抄録

High pressure Raman scattering study has been performed in LaNbO4and NdNbO4. It has been found that the corresponding low-frequency Raman lines in LaNbO4and NdNbO4show almost the same pressure dependence. We have also found that frequency of all the Raman lines of NdNbO4 and LaNbO4obeys the same dependence on Tc - T where Tcis the respective transition temperature.

本文言語英語
ページ(範囲)25-27
ページ数3
ジャーナルFerroelectrics
96
1
DOI
出版ステータス出版済み - 8 1 1989
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「High pressure raman scattering study of lanbO<sub>4</sub> and ndnbo<sub>4</sub>」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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