Impact of semiconductor on diamond structure for power supply on chip applications

Kentaro Nakagawa, Takuya Kodama, Satoshi Matsumoto, Takatoshi Yamada, Masataka Hasegawa, Shinichi Nishizawa

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

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抄録

In this study, we assessed a semiconductor (silicon or GaN)-on-diamond (SeOD) structure and compared it with a conventional silicon on insulator (SOI) structure, i.e., diamond, for power-supply-on-chip (power-SoC) applications by numerical simulations. The SeOD structure has thermal advantages over the conventional SOI structure without degrading electrical characteristics even using a thin diamond film (0.3 μm).

本文言語英語
論文番号04EP16
ジャーナルJapanese journal of applied physics
53
4 SPEC. ISSUE
DOI
出版ステータス出版済み - 4月 2014
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Impact of semiconductor on diamond structure for power supply on chip applications」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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