Improvement of the quality of Ge films on CaF2/Si(111) structures by predeposited thin Ge layers

Seigo Kanemaru, Hiroshi Ishiwara, Tanemasa Asano, Seijiro Furukawa

研究成果: Contribution to journalArticle査読

8 被引用数 (Scopus)

抄録

Heteroepitaxial growth of Ge films on CaF2/Si structures with thin Ge layers predeposited at room temperature was investigated. It has been shown from morphological and ion channeling studies that the predeposited thin Ge layer is useful to improve the surface smoothness and crystalline quality of the Ge films. The best value of the channeling minimum yield of Ge films was 3.4%.

本文言語英語
ページ(範囲)666-670
ページ数5
ジャーナルSurface Science
174
1-3
DOI
出版ステータス出版済み - 8 3 1986
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 凝縮系物理学
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 材料化学

フィンガープリント

「Improvement of the quality of Ge films on CaF<sub>2</sub>/Si(111) structures by predeposited thin Ge layers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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