Interfacial-oxide layer controlled Al-induced crystallization of Si1-xGe[x] (x: 0-1) on insulating substrate (Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials)

Masashi Kurosawa, Yoshitaka Tsumura, Taizoh Sadoh

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

本文言語英語
ページ(範囲)03B002-1〜5
ジャーナルJapanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
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出版ステータス出版済み - 3月 2009

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