Ion-beam stimulated solid-phase crystallization of amorphous Si on SiO2

Masanobu Miyao, Isao Tsunoda, Taizoh Sadoh, Atsushi Kenjo

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

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抄録

Influences of ion-beam irradiation on solid-phase-crystallization of a-Si on SiO2 were studied in the temperature range between 200 and 700 °C. Significant enhancement of crystal nucleation was observed under ion irradiation (25 keV, 1×1016 Ar+ cm-2). As a result, nucleation at a temperature lower than that of the softening of soda-lime glass (450 °C) becomes possible. In addition, nuclei growth along the [111] and [110] directions was detected using X-ray diffraction methods. These are a big advantage for the fabrication of high-quality and low-cost thin-film transistors on glass substrates.

本文言語英語
ページ(範囲)104-106
ページ数3
ジャーナルThin Solid Films
383
1-2
DOI
出版ステータス出版済み - 2月 15 2001

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Ion-beam stimulated solid-phase crystallization of amorphous Si on SiO2」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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