KrF excimer laser annealing of a-InGaZnO thin-film transistors with solution processed hybrid passivation layers

Juan Paolo Bermundo, Ishikawa Yasuaki, Mami N. Fujii, Nonaka Toshiaki, Ikenoue Hiroshi, Uraoka Yukiharu

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

We show how KrF excimer laser annealing (ELA) can be used as a low temperature annealing process to improve the properties of passivated amorphous InGaZnO thin-film transistors. We analyzed the effect of KrF ELA on the electrical properties, physical structure, chemical bonding and composition of a-lnGaZnO.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル22nd International Display Workshops, IDW 2015
出版社International Display Workshops
ページ565-566
ページ数2
ISBN(電子版)9781510845503
出版ステータス出版済み - 1月 1 2015
イベント22nd International Display Workshops, IDW 2015 - Otsu, 日本
継続期間: 12月 9 201512月 11 2015

出版物シリーズ

名前Proceedings of the International Display Workshops
1
ISSN(印刷版)1883-2490

その他

その他22nd International Display Workshops, IDW 2015
国/地域日本
CityOtsu
Period12/9/1512/11/15

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • コンピュータ ビジョンおよびパターン認識
  • 人間とコンピュータの相互作用
  • 電子工学および電気工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 放射線学、核医学およびイメージング

フィンガープリント

「KrF excimer laser annealing of a-InGaZnO thin-film transistors with solution processed hybrid passivation layers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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