Layer-exchange crystallization for low-temperature (∼450 °c) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator

Hongmiao Gao, Taizoh Sadoh

研究成果: Contribution to journalArticle査読

1 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Layer-exchange crystallization for low-temperature (∼450 °c) formation of n-type tensile-strained Ge on insulator」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy