Liquid phase epitaxy of GaN on MOCVD GaN/sapphire and HVPE free-standing substrates under high nitrogen pressure

M. Bockowski, P. Strak, P. Kempisty, I. Grzegory, B. Lucznik, S. Krukowski, S. Porowski

研究成果: ジャーナルへの寄稿会議記事査読

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抄録

Results of liquid phase epitaxy of GaN on MOCVD sapphire/GaN and HVPE free-standing GaN substrates by high pressure solution method are presented. The finite element calculation using experimentally measured temperatures is used for modeling the convective transport in the liquid gallium. The influence of a baffle and thermal conductivity of the various seeds for convection in liquid metal is analyzed in details.

本文言語英語
ページ(範囲)1539-1542
ページ数4
ジャーナルPhysica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
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DOI
出版ステータス出版済み - 12月 1 2008
外部発表はい
イベント7th International Conference of Nitride Semiconductors, ICNS-7 - Las Vegas, NV, 米国
継続期間: 9月 16 20079月 21 2007

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Liquid phase epitaxy of GaN on MOCVD GaN/sapphire and HVPE free-standing substrates under high nitrogen pressure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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