Low internal loss InP/InGaAsP laser diodes fabricated using inductively coupled plasma etching

Kiichi Hamamoto, E. Gini, H. Melchior

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

5 被引用数 (Scopus)

抄録

A high power InP/InGaAsP buried-hetero structure laser diodes were fabricated using inductively coupled plasma (ICP) etching. Low internal losses and internal quantum efficiencies were analyzed under extremely fast mesa-etching. Mixtures of methane gas and halogen gas was used along with the ICP dry-etching system to attain fast etching rates. It was found that superior laser diodes characteristics were obtained using high throughput methane/halogen ICP fabrication.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルConference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
ページ136-139
ページ数4
出版ステータス出版済み - 2001
外部発表はい
イベント2001 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials - Nara, 日本
継続期間: 5月 14 20015月 18 2001

その他

その他2001 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
国/地域日本
CityNara
Period5/14/015/18/01

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 材料科学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

フィンガープリント

「Low internal loss InP/InGaAsP laser diodes fabricated using inductively coupled plasma etching」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル