Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating (シリコン材料・デバイス)

Kaname Imokawa, Nozomu Tanaka, Akira Suwa, Daisuke Nakamura, Taizoh Sadoh, Tetsuya Goto, Hiroshi Ikenoue

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

本文言語英語
ページ(範囲)11-14
ページ数4
ジャーナルIEICE technical report
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出版ステータス出版済み - 10月 17 2018

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