Low-Temperature Formation of Poly-Si1-xGex (0<x<1) Films by Ni-Induced Lateral Crystallization for Advanced TFT

Hiroshi Kanno, Atsushi Kenjo, Taizoh Sadoh, Masanobu Miyao

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

抄録

Development of new semiconductors with high carrier mobility is strongly needed to realize future system-in-displays. To achieve this, we have been investigating low-temperature crystallization of a-Si1-xGex (0 ≦x≦1) on insulating films. Present paper focuses our recent progress of the Ni-induced lateral crystallization of a-Si1-xGex (0≦x≦1). Effects of the Ge fraction and the electric field on the growth characteristics are discussed.

本文言語英語
ページ(範囲)1073-1078
ページ数6
ジャーナルIEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
126
9
DOI
出版ステータス出版済み - 1月 1 2006

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Low-Temperature Formation of Poly-Si1-xGex (0<x<1) Films by Ni-Induced Lateral Crystallization for Advanced TFT」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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