Low-temperature formation of Sn-doped Ge on insulating substrates by metal-induced crystallization

T. Sakai, R. Matsumura, T. Sadoh, M. Miyao

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

抄録

Low-temperature formation of Sn-doped Ge on insulator is desired to realize next generation flexible electronics. To achieve this, metal-induced crystallization (MIC) of a-GeSn layers on insulating substrates is investigated using Au as a catalyst metal. For a-GeSn with initial Sn concentration of 5%, Sn-doped Ge is laterally grown around Au patterns at low temperatures (≤250°C). The Sn concentration (0.5-2.0%) in the grown layers can be controlled by the annealing temperature in the range of 150-250°C.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルThin Film Transistors 13, TFT 13
編集者Y. Kuo
出版社Electrochemical Society Inc.
ページ105-108
ページ数4
10
ISBN(電子版)9781607685395
DOI
出版ステータス出版済み - 2016
イベントSymposium on Thin Film Transistors 13, TFT 2016 - PRiME 2016/230th ECS Meeting - Honolulu, 米国
継続期間: 10 2 201610 7 2016

出版物シリーズ

名前ECS Transactions
番号10
75
ISSN(印刷版)1938-5862
ISSN(電子版)1938-6737

その他

その他Symposium on Thin Film Transistors 13, TFT 2016 - PRiME 2016/230th ECS Meeting
国/地域米国
CityHonolulu
Period10/2/1610/7/16

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 工学(全般)

フィンガープリント

「Low-temperature formation of Sn-doped Ge on insulating substrates by metal-induced crystallization」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル