Low-temperature molecular beam epitaxy of a ferromagnetic full-Heusler alloy Fe2MnSi on Ge(111)

K. Ueda, K. Hamaya, K. Yamamoto, Y. Ando, T. Sadoh, Y. Maeda, M. Miyao

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

41 被引用数 (Scopus)

抄録

We demonstrate the epitaxial growth of ferromagnetic full-Heusler alloy Fe2MnSi layers on group-IV semiconductor Ge(111) using molecular beam epitaxy at the growth temperatures of 130 and 200 °C. The Fe 2MnSi/Ge (111) layers have an atomic-scale abrupt interface and include the ordered L21 phase. We also show ferromagnetic features with a saturation magnetization of ∼2.2 μB /f.u. and a Curie temperature of ∼210 K, which are nearly comparable to those of bulk Fe2MnSi.

本文言語英語
論文番号112108
ジャーナルApplied Physics Letters
93
11
DOI
出版ステータス出版済み - 2008

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Low-temperature molecular beam epitaxy of a ferromagnetic full-Heusler alloy Fe2MnSi on Ge(111)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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