Low temperature rapid formation of Au-induced crystalline Ge films using sputtering deposition

Sota Tanami, Daiki Ichida, Shinji Hashimoto, Hyunwoong Seo, Daisuke Yamashita, Naho Itagaki, Kazunori Koga, Masaharu Shiratani

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

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抄録

We report low temperature (100–170 °C) and rapid (10 min) formation of crystalline Ge films between Au catalyst film and quartz glass substrate using a radio frequency magnetron sputtering deposition. The formation rate of crystalline Ge films between Au catalyst film and quartz glass substrate is proportional to the deposition rate of Ge film, namely the flux of Ge atoms. To obtain insights on the formation mechanism of crystalline Ge films, we studied dependence of grain size of Au films on annealing temperature and Au film thickness. Crystalline Ge films formed below Au films have random crystalline orientation with in-plane grain size from below 1 μm. Small crystalline grain size of Au films is needed to form rapidly Au induced crystalline Ge films.

本文言語英語
ページ(範囲)59-64
ページ数6
ジャーナルThin Solid Films
641
DOI
出版ステータス出版済み - 11月 1 2017

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Low temperature rapid formation of Au-induced crystalline Ge films using sputtering deposition」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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