MESFET’s on a GaAs-on-Insulator Structure

Kazuo Tsutsui, Tadao Nakazawa, Tanemasa Asano, Hiroshi Ishiwara, Seijiro Furukawa

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抄録

MESFET’s were fabricated on a GaAs-on-insulator structure which was grown by molecular beam epitaxy (MBE) on a GaAs substrate covered with a crystalline insulator film, CaxSri1-x,F2. The gmvalue of 71 mS/mm was obtained for an FET with a gate length of 3 μm. Complete isolation of MESFET’s by island formation of GaAs on the fluoride films was also attained for the first time using a conventional wet etching process.

本文言語英語
ページ(範囲)277-279
ページ数3
ジャーナルIEEE Electron Device Letters
EDL-8
6
DOI
出版ステータス出版済み - 6 1987
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「MESFET’s on a GaAs-on-Insulator Structure」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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