Mgnetoresistance in ballistic Ni nanocontact at 4.2K

Koichiro Ienaga, Naoya Nakashima, Yuji Inagaki, Tatsuya Kawae, Hiroyuki Tsujii

研究成果: 著書/レポートタイプへの貢献会議での発言

2 引用 (Scopus)

抜粋

The magnetoresistance (MR) effect is studied in Ni atomic-sized contact at 4.2K. We show that the magnetostriction gives rise to a huge MR ratio by switching wthe direction of the magnetization axis.

元の言語英語
ホスト出版物のタイトルTENCON 2010 - 2010 IEEE Region 10 Conference
ページ1891-1893
ページ数3
DOI
出版物ステータス出版済み - 12 1 2010
イベント2010 IEEE Region 10 Conference, TENCON 2010 - Fukuoka, 日本
継続期間: 11 21 201011 24 2010

その他

その他2010 IEEE Region 10 Conference, TENCON 2010
日本
Fukuoka
期間11/21/1011/24/10

    フィンガープリント

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Electrical and Electronic Engineering
  • Computer Science Applications

これを引用

Ienaga, K., Nakashima, N., Inagaki, Y., Kawae, T., & Tsujii, H. (2010). Mgnetoresistance in ballistic Ni nanocontact at 4.2K. : TENCON 2010 - 2010 IEEE Region 10 Conference (pp. 1891-1893). [5686404] https://doi.org/10.1109/TENCON.2010.5686404