Mgnetoresistance in ballistic Ni nanocontact at 4.2K

Koichiro Ienaga, Naoya Nakashima, Yuji Inagaki, Tatsuya Kawae, Hiroyuki Tsujii

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

2 被引用数 (Scopus)

抄録

The magnetoresistance (MR) effect is studied in Ni atomic-sized contact at 4.2K. We show that the magnetostriction gives rise to a huge MR ratio by switching wthe direction of the magnetization axis.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルTENCON 2010 - 2010 IEEE Region 10 Conference
ページ1891-1893
ページ数3
DOI
出版ステータス出版済み - 12 1 2010
イベント2010 IEEE Region 10 Conference, TENCON 2010 - Fukuoka, 日本
継続期間: 11 21 201011 24 2010

その他

その他2010 IEEE Region 10 Conference, TENCON 2010
Country日本
CityFukuoka
Period11/21/1011/24/10

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Electrical and Electronic Engineering
  • Computer Science Applications

フィンガープリント 「Mgnetoresistance in ballistic Ni nanocontact at 4.2K」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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