Modeling and Characterization of InAs Quantum-Well Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors on Quartz for 1.0 THz Wave Detection

T. Maeda, H. Ishii, W. H. Chang, H. Kanaya, T. Asano

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

抄録

The electromagnetic wave of 1.0 terahertz (THz) was detected using a square law detector made of InAs quantum-well (QW) metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) fabricated on quartz. The voltage responsivity of 1.7 kV/W was achieved at room temperature. The noise equivalent power (NEP) was evaluated to be below 2\pW Hz0.5. A new circuit model which well explains the detection characteristic and dependence of the sensitivity on physical parameters of MOSFETs is proposed. These results prove the high potential of InAs QW MOSFETs on quartz for implementation of THz imaging.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ISBN(電子版)9781728125381
DOI
出版ステータス出版済み - 4月 2020
イベント4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Penang, マレーシア
継続期間: 4月 6 20204月 21 2020

出版物シリーズ

名前4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings

会議

会議4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020
国/地域マレーシア
CityPenang
Period4/6/204/21/20

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 電子工学および電気工学
  • 産業および生産工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Modeling and Characterization of InAs Quantum-Well Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors on Quartz for 1.0 THz Wave Detection」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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