Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(0 0 1)

Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Irisawa, T. Ohachi

研究成果: Contribution to journalArticle査読

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抄録

Diffusion length of Ga on the GaAs(0 0 1)-(2 × 4)β2 is investigated by a newly developed Monte Carlo-based computational method. The new computational method incorporates chemical potential of Ga in the vapor phase and Ga migration potential on the reconstructed surface obtained by ab initio calculations; therefore we can investigate the adsorption, diffusion and desorption kinetics of adsorbate atoms on the surface. The calculated results imply that Ga diffusion length before desorption decreases exponentially with temperature because Ga surface lifetime decreases exponentially. Furthermore, Ga diffusion length L along [1 1̄ 0] and [1 1 0] on the GaAs(0 0 1)-(2 × 4)β2 are estimated to be L[1 1̄ 0] ≅ 700 nm and L[1 1 0] ≅ 200 nm, respectively, at the incorporation-desorption transition temperature (T ∼ 860 K).

本文言語英語
ページ(範囲)517-520
ページ数4
ジャーナルApplied Surface Science
190
1-4
DOI
出版ステータス出版済み - 5 8 2002
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 化学 (全般)
  • 凝縮系物理学
  • 物理学および天文学(全般)
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜

フィンガープリント

「Monte Carlo simulation for temperature dependence of Ga diffusion length on GaAs(0 0 1)」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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