Nonvolatile bipolar resistive memory switching in single crystalline nio heterostructured nanowires

Keisuke Oka, Takeshi Yanagida, Kazuki Nagashima, Hidekazu Tanaka, Tomoji Kawai

研究成果: Contribution to journalArticle査読

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抄録

We have demonstrated the nonvolatile bipolar resistive memory switching in single crystalline NiO heterostructured nanowires for the first time. The self-assembled NiO nanowires are expected to open up opportunities to explore not only the detailed nanoscale mechanisms in NiO resistive memory switching but also next-generation nanoscale nonvolatile memory devices with the potential for high-density device integration and improved memory characteristics.

本文言語英語
ページ(範囲)3434-3435
ページ数2
ジャーナルJournal of the American Chemical Society
131
10
DOI
出版ステータス出版済み - 3 18 2009
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 触媒
  • 化学 (全般)
  • 生化学
  • コロイド化学および表面化学

フィンガープリント

「Nonvolatile bipolar resistive memory switching in single crystalline nio heterostructured nanowires」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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