Ohmic contact properties depending on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures

Yusuke Takei, Mari Okamoto, Wataru Saito, Kazuo Tsutsui, Kuniyuki Kakushima, Hitoshi Wakabayashi, Yoshinori Kataoka, Hiroshi Iwai

研究成果: Contribution to journalConference article査読

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抄録

Mo/Al/Ti or TiN/TiSi2 ohmic contacts were fabricated on AlGaN/GaN HEMT structures having various thicknesses of AlGaN layers. Optimum thicknesses depending on annealing temperature were found, which should be correlated with the contact formation mechanism.

本文言語英語
ページ(範囲)265-270
ページ数6
ジャーナルECS Transactions
61
4
DOI
出版ステータス出版済み - 1 1 2014
外部発表はい
イベントSymposium on Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 15 - 225th ECS Meeting - Orlando, 米国
継続期間: 5 11 20145 15 2014

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • Engineering(all)

フィンガープリント 「Ohmic contact properties depending on AlGaN layer thickness for AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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