界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長: 界面酸化膜厚依存性

鈴木 恒晴, 朴 鍾?, 黒澤 昌志, 宮尾 正信, 佐道 泰造

研究成果: Contribution to journalArticle査読

抄録

A technique for low-temperature(<〜350℃) formation of orientation-controlled large-grain Ge films on insulating layers is desirable for realization of flexible high-speed thin film transistors. In line with this, we have investigated Au-induced layer-exchange crystallization using a-Ge/Au/insulator stacked structures where Al_2O_3 layers were inserted at a-Ge/Au interfaces. Consequently, (111)-oriented large-grain (20-50 μm) films are obtained by inserting the interfacial layers (〜3 μm). These phenomena are explained based on the retardation of random bulk nucleation in Au films and thus domination of(111)-oriented nucleation on insulators, caused by suppression of Ge/Au interdiffusion.
寄稿の翻訳タイトルOrientation-Controlled Large-Grain Ge on Insulator by Au-Induced Layer Exchange Crystallization with Interfacial Oxide Layer
本文言語Japanese
ページ(範囲)71-73
ページ数3
ジャーナルIEICE technical report
112
19
出版ステータス出版済み - 4 20 2012

フィンガープリント 「界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長: 界面酸化膜厚依存性」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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