Pt-silicide source and drain SOI-MOSFET operating in bi-channel modes

Mika Nishisaka, Yasuhiro Ochiai, Tanemasa Asano

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

21 被引用数 (Scopus)

抄録

The complementary operation of SOI-MOSFET with Pt-silicide source/drain using Schottky contacts is reported. It is demonstrated that the single MOSFET can operate at room temperature in both n- and p-channel modes, thus complementary circuit can be realized without any control of conduction-type of silicon active layer.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルAnnual Device Research Conference Digest
出版社IEEE
ページ74-75
ページ数2
出版ステータス出版済み - 1998
外部発表はい
イベントProceedings of the 1998 56th Annual Device Research Conference - Charlottesville, VA, USA
継続期間: 6 22 19986 24 1998

その他

その他Proceedings of the 1998 56th Annual Device Research Conference
CityCharlottesville, VA, USA
Period6/22/986/24/98

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 工学(全般)

フィンガープリント

「Pt-silicide source and drain SOI-MOSFET operating in bi-channel modes」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル