Room-temperature epitaxial growth of indium tin oxide thin films on Si substrates with an epitaxial CeO2 ultrathin buffer

J. Tashiro, A. Sasaki, S. Akiba, S. Satoh, T. Watanabe, H. Funakubo, M. Yoshimoto

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

42 被引用数 (Scopus)

抄録

Room-temperature epitaxy of indium tin oxide (ITO) thin films was achieved on Si(1 1 1) substrates with an epitaxial CeO2 ultrathin buffer using a pulsed laser deposition technique. The epitaxial CeO2 buffer layer was also grown at room temperature. Reflection high-energy electron diffraction and pole figure X-ray diffraction analyses confirmed the formation of a double heteroepitaxial structure of ITO(1 1 1)/CeO2(1 1 1)/Si(1 1 1) with the epitaxial relationship of [- 110]ITO//[- 110]CeO2//[1-10]Si. The junction of [ITO: 100 nm thick/CeO2: 3 nm thick/p-Si(1 1 1)] fabricated at room temperature exhibited solar cell properties.

本文言語英語
ページ(範囲)272-275
ページ数4
ジャーナルThin Solid Films
415
1-2
DOI
出版ステータス出版済み - 8月 1 2002
外部発表はい

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Room-temperature epitaxial growth of indium tin oxide thin films on Si substrates with an epitaxial CeO2 ultrathin buffer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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