Semiconducting nanocrystalline iron disilicide thin films prepared by pulsed-laser ablation

T. Yoshitake, M. Yatabe, M. Itakura, N. Kuwano, Y. Tomokiyo, K. Nagayama

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

23 被引用数 (Scopus)

抄録

A study was performed on the preparation of semiconducting nanocrystalline iron disilicide thin films. The films were grown by pulsed-laser deposition using an FeSi2 target. It was found that they consist of crystallites with diameters ranging from 3 to 5 nm.

本文言語英語
ページ(範囲)3057-3059
ページ数3
ジャーナルApplied Physics Letters
83
15
DOI
出版ステータス出版済み - 10月 13 2003

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 物理学および天文学(その他)

フィンガープリント

「Semiconducting nanocrystalline iron disilicide thin films prepared by pulsed-laser ablation」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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