Side-Gated In2O3 Nanowire Ferroelectric FETs for High-Performance Nonvolatile Memory Applications

Meng Su, Zhenyu Yang, Lei Liao, Xuming Zou, Johnny C. Ho, Jingli Wang, Jianlu Wang, Weida Hu, Xiangheng Xiao, Changzhong Jiang, Chuansheng Liu, Tailiang Guo

研究成果: ジャーナルへの寄稿学術誌査読

39 被引用数 (Scopus)
本文言語英語
論文番号1600078
ジャーナルAdvanced Science
3
9
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出版ステータス出版済み - 9月 1 2016
外部発表はい

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  • 医学(その他)
  • 化学工学(全般)
  • 材料科学(全般)
  • 生化学、遺伝学、分子生物学(その他)
  • 工学(全般)
  • 物理学および天文学(全般)

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