SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成: 人工単結晶への道

宮尾 正信, 佐道 泰造, 都甲 薫, 黒澤 昌志

研究成果: Contribution to journalArticle査読

抄録

<p>The development of high-quality Ge-on-insulator (GOI) structures is essential for making a breakthrough into the scaling limit of Si large-scale integrated circuits. In the present paper, we review a new GOI growth technique, i.e., the SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth technique, which enables chip-sized and mesh-shaped GOI structures. In addition, the integration of GOI(111) on Si(100) substrates becomes possible by combining this method with the Si-microseeding technique. These progresses pave the way for the artificial single-crystal technology.</p>
寄稿の翻訳タイトルSiGe-mixing-triggered rapid-melting growth for Ge-on-insulator formation: A road to artificial crystal
本文言語日本語
ページ(範囲)410-414
ページ数5
ジャーナル応用物理
81
5
DOI
出版ステータス出版済み - 5 10 2012

フィンガープリント

「SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成: 人工単結晶への道」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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