Si/SiC表面上のSnの吸着構造

林 真吾, 原 剣斗, 梶原 隆司, Anton Visikovskiy, 飯盛 拓嗣, 小森 文夫, 田中 悟

研究成果: Contribution to journalArticle

抄録

<p>Sn及びその原子層のstaneneはトポロジカル絶縁体として注目されている。本研究ではグラフェン等原子層物質の下地として用いられているSiC上へSnの吸着を行った。その結果、SiCの初期表面構造によって異なるSnの吸着過程を観察した。</p>
寄稿の翻訳タイトルSn adsorption structures on Si/SiC surfaces
本文言語Japanese
ページ(範囲)2358-2358
ページ数1
ジャーナル日本物理学会講演概要集
71
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DOI
出版ステータス出版済み - 2016

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