Strain distribution in freestanding Si/SixNy membranes studied by transmission electron microscopy

Hongye Gao, Ken Ichi Ikeda, Satoshi Hata, Hideharu Nakashima, Dong Wang, Hiroshi Nakashima

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2 被引用数 (Scopus)

抄録

Strain was induced in a bridge-shaped freestanding Si membrane (FSSM) by depositing an amorphous SixNy layer to surround the Si membrane. Convergent beam electron diffraction revealed that compressive strain is distributed uniformly along the horizontal direction in SixN y-deposited FSSM. On the other hand, strain decreases to almost zero at the ends of the FSSM, where the SixNy layer beneath the Si layer is replaced by a SiO2 buried oxide layer.

本文言語英語
ページ(範囲)6787-6791
ページ数5
ジャーナルThin Solid Films
518
23
DOI
出版ステータス出版済み - 9 30 2010

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「Strain distribution in freestanding Si/Si<sub>x</sub>N<sub>y</sub> membranes studied by transmission electron microscopy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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