Strained-Si/SiGe-on-insulator wafers fabricated by Ge-condensation process

N. Hirashita, T. Numata, T. Tezuka, N. Sugiyama, K. Usuda, T. Irisawa, A. Tanabe, Y. Moriyama, S. Nakaharai, S. Takagi, E. Toyoda, Y. Miyamura

研究成果: ジャーナルへの寄稿会議記事査読

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抄録

The fabrication of uniform 150 and 200mm strained-Si/SiGe-on-insulator wafers using Ge-condensation process was discussed. The epitaxial growth of both SiGe and Si films were carried out at 600°C in 1 Pa by a mixture of SiH 4, GeH 4 and H 2. The wafer-in-plane uniformity of stress and thickness was within 3% in relative standard deviation. The integration issues associated with crystalline defects like the threading and misfit dislocations in the SOI and SSOI wafers were also elaborated.

本文言語英語
論文番号6.6
ページ(範囲)141-142
ページ数2
ジャーナルProceedings - IEEE International SOI Conference
出版ステータス出版済み - 2004
外部発表はい
イベント2004 IEEE International SOI Conference, Proceedings - Charleston, SC, 米国
継続期間: 10月 4 200410月 7 2004

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Strained-Si/SiGe-on-insulator wafers fabricated by Ge-condensation process」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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