Surface activated wafer bonding of LiNbO3 and SiO2/Si for LNOI on Si

Ryo Takigawa, Eiji Higurashi, Tanemasa Asano

研究成果: 書籍/レポート タイプへの寄稿会議への寄与

1 被引用数 (Scopus)

抄録

Wafer-level bonding of LiNbO3 (LN) and Si with thermally grown SiO2 layer is demonstrated using surface-activated bonding method for the realization of LiNbO3-on-Insulator (LNOI) on Si.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルProceedings of 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2017
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ数1
ISBN(電子版)9784904743034
DOI
出版ステータス出版済み - 6月 13 2017
イベント5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2017 - Tokyo, 日本
継続期間: 5月 16 20175月 18 2017

出版物シリーズ

名前Proceedings of 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2017

その他

その他5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2017
国/地域日本
CityTokyo
Period5/16/175/18/17

!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子工学および電気工学
  • 産業および生産工学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面、皮膜および薄膜

フィンガープリント

「Surface activated wafer bonding of LiNbO3 and SiO2/Si for LNOI on Si」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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