The influence of unsteady state plasma on the properties of a-Si:H films formed by glow discharge-chemical vapour deposition

K. Hamamoto, H. Ozaki, K. Nakatani, M. Yano, K. Suzuki, H. Okaniwa

研究成果: Contribution to journalArticle査読

3 被引用数 (Scopus)

抄録

An unsteady state plasma is known to exist during the initial stage of the glow discharge decomposition of silane (SiH4) gas. The properties of the i layer deposited in this unsteady state plasma and p-i-n stacked hydrogenated amorphous silicon solar cells having such an i layer were investigated. It was found that this layer had an undesirably wide optical band gap and low conductivity because of the large number of SiH2 sites.

本文言語英語
ページ(範囲)161-170
ページ数10
ジャーナルThin Solid Films
177
1-2
DOI
出版ステータス出版済み - 10 1989
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 表面および界面
  • 表面、皮膜および薄膜
  • 金属および合金
  • 材料化学

フィンガープリント

「The influence of unsteady state plasma on the properties of a-Si:H films formed by glow discharge-chemical vapour deposition」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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