Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE growth

Akinori Koukitu, Jun Kikuchi, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai

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抄録

A thermodynamic analysis of the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) of AlGaN using AlCl3 and GaCl as group III precursors is described. For a range of values on the input ratio, temperature, and the partial pressure of hydrogen in the carrier gas, we calculated the equilibrium partial pressures and the driving force for AlN and GaN deposition in AlGaN. As a result, we show that controllable AlGaN HVPE is possible under a low partial pressure of hydrogen (<10% hydrogen in carrier gas).

本文言語英語
ページ(範囲)47-54
ページ数8
ジャーナルJournal of Crystal Growth
281
1
DOI
出版ステータス出版済み - 7 15 2005
外部発表はい
イベントThe Internbational Workshop on Bulk Nitride Semiconductors III -
継続期間: 9 4 20049 9 2004

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 凝縮系物理学
  • 無機化学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE growth」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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