Thermodynamic approach to InN epitaxy

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingChapter

抄録

In this chapter, influences of N/III ratio, growth orientation and total pressure on epitaxial growth processes of In(Ga)N are discussed. It is known that N/III ratio is essential parameter to grow In(Ga)N thin films.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルSpringer Series in Materials Science
出版社Springer Verlag
ページ95-108
ページ数14
DOI
出版ステータス出版済み - 2018

出版物シリーズ

名前Springer Series in Materials Science
269
ISSN(印刷版)0933-033X

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 材料科学(全般)

フィンガープリント

「Thermodynamic approach to InN epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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