Time-of-flight measurement of longitudinal electron transport in amorphous semiconductor multilayers

R. Hattori, T. Enomoto, J. Shirafuji

研究成果: Contribution to journalArticle査読

3 被引用数 (Scopus)

抄録

Longitudinal electron transport in a-Si:H/a-SiNx:H multilayers has been measured by time-of-flight method. The mechanism involved is explained in terms of tunnel hopping of electrons confined in well layers to neighbors through the barrier layers and multiple trapping process in the well layers. Based on this model, the energy distribution of deep lying tail states in the well layers is estimated.

本文言語英語
ページ(範囲)711-713
ページ数3
ジャーナルJournal of Non-Crystalline Solids
114
PART 2
DOI
出版ステータス出版済み - 12 2 1989
外部発表はい

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • セラミックおよび複合材料
  • 凝縮系物理学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Time-of-flight measurement of longitudinal electron transport in amorphous semiconductor multilayers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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