抄録
Biocompatible deoxyribonucleic acid (DNA), with high mechanical strength, was employed as the substrate for a Ag nanowire (Ag NW) pattern and then used to fabricate flexible resistor-type memory devices. The memory exhibited typical write-once-read-many (WORM)-type memory features with a high ON/OFF ratio (104), long-term retention ability (104 s) and excellent mechanical endurance.
本文言語 | 英語 |
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ページ(範囲) | 13463-13466 |
ページ数 | 4 |
ジャーナル | Chemical Communications |
巻 | 52 |
号 | 92 |
DOI | |
出版ステータス | 出版済み - 1月 1 2016 |
!!!All Science Journal Classification (ASJC) codes
- 触媒
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