Ultra-low temperature Si TFTs with metal source-drain using ELA for flexible sheet

Taisel Harada, Futa Gakiya, Yuya Lshiki, Tatsuya Okada, Takash I. Noguchi, Kanj I. Noda, Akira Suwa, Hiroshi Ikenoue

研究成果: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contribution

抄録

n-type top-gate TFT was fabricated using ELA without adopting ion-implantation by adopting ultra-low temperature process below 200 'C. In place of impurity doping, Ti of metal was used for source-drain region. As a result of hydrogen annealing at 200'C after forming AI electrodes, drastic improvement of n-type TFT has been realized.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトル23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016
出版社Society for Information Display
ページ955-956
ページ数2
ISBN(電子版)9781510845510
出版ステータス出版済み - 1 1 2016
イベント23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016 - Fukuoka, 日本
継続期間: 12 7 201612 9 2016

出版物シリーズ

名前23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016
2

その他

その他23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016
国/地域日本
CityFukuoka
Period12/7/1612/9/16

All Science Journal Classification (ASJC) codes

  • ハードウェアとアーキテクチャ
  • 人間とコンピュータの相互作用
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Ultra-low temperature Si TFTs with metal source-drain using ELA for flexible sheet」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル